三星第9代V-NAND闪存明年量产 堆叠超300层
(资料图)
三星去年底开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。而据DigiTimes最新消息称，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，并将继续沿用双堆栈架构。
所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。
据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。此前三星公布的路线图表明，其第九代V-NAND正在开发中计划于2024年量产。到2030年，三星设想NAND堆叠超1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。
关键词：
推荐阅读
正泰新能供货ASTRO光伏组件的库布其310MW沙光互补电站年均发电量约5 5亿度
2023-08-20 14:53:49
资讯
